据IT之家3月11日消息，全球最大的NAND闪存芯片制造商——韩国三星电子在中国西安开设的芯片工厂再迎新进展。目前，该工厂的二期二阶段项目已经进入设备安装阶段，预计在2021年年中竣工，建成后将新增产能13万片/月。

报道指出，在二期满负荷投产后，NAND闪存芯片产能将占到三星电子全球同类产品产量的40%。与此同时，三星西安工厂也将成为全球规模最大的闪存芯片制造基地。

据悉，三星对在华芯片厂的总投资共计150亿美元（约合人民币975亿元），第一阶段为70亿美元，第二阶段投资则为80亿美元。

业内人士表示，中国5G网络布局提速，对5G设备和网络需求不断上升，全球内存芯片市场拥有巨大增长潜力，因而三星加大中国芯片厂的投资也是明智之举。

知名半导体市场研究机构 IC Insights 2月20日发布的报告显示，中国芯片市场已连续16年稳居世界榜首——2020年中国集成电路市场规模达1434亿美元（约合人民币9320亿元），同比增长9%。其中，DRAM和NAND闪存市场共计占其总量的30%。

可以说，中国内存芯片市场的需求，正在推动内存厂商的发展，这无疑也是三星扩大其海外业绩的重要来源之一。相比之下，三星在美国的芯片工厂近日却遭受了较大的打击。

据报道，今年2月美国德克萨斯州出现罕见的极端寒冷天气，造成当地大规模断水断电，这极大影响了三星在当地芯片工厂的生产计划。资料显示，三星在美工厂的芯片产能约为2万片/月，目前该工厂已停运了近两周，而待重新启动生产还需一段时间。

文 | 林妙琼

题 |曾云梓

图|卢文祥

审 |陆烁宜